铠侠第10代闪存刷新堆叠层数纪录，存储密度与性能均领跑全球

铠侠与闪迪携手，近日正式揭晓了双方联合研发的第十代BiCS 3D NAND闪存技术，此技术在堆叠层数、存储密度以及接口速率上均实现了前所未有的突破。

在这项创新技术中，铠侠采用了CBA双晶圆键合工艺，分别独立制造CMOS控制电路与NAND存储阵列，随后将它们精密键合。这一做法与长江存储的Xtacking晶栈架构有着异曲同工之妙。

尤为第十代BiCS 3D NAND闪存的堆叠层数达到了惊人的332层，与第八代的218层相比，增幅高达38%。这一数字不仅超越了SK海力士的321层、三星的290层、美光的276层，也远远甩开了西数的218层。

随着堆叠层数的显著增加，存储密度也随之大幅提升，据称提升了59%，达到了每平方毫米36.4Gb的惊人水平。这一数据不仅远超同行，即便是西数的每平方毫米22.9Gb和SK海力士的每平方毫米20Gb也无法望其项背。

尽管铠侠尚未透露具体的闪存类型（TLC/QLC）以及单Die容量，但其在性能上的提升已足够引人注目。新闪存支持Toggle DDR 6.0接口规范，传输速度飙升至4800MT/s，相比前代提升了33%，同样刷新了行业记录，超过了美光和西数的3600MT/s。

铠侠在新闪存中还引入了PI-LTT低功耗技术，使得输入功耗降低了10%，输出功耗更是降低了34%。这一技术的加入，无疑将更好地满足AI技术对于低功耗、高性能的严苛需求。

铠侠对于未来的展望同样雄心勃勃，他们计划在2027年推出堆叠层数高达1000层的3D闪存，这无疑将为整个存储行业带来新的革命。