三星2028年将推LPW DRAM：为端侧AI优化，速度大涨166%！

在最新的科技动态中，三星电子DS部门的首席技术官Song Jai-hyuk于美国加州旧金山举行的IEEE ISSCC 2025国际固态电路会议上发表了一项重要声明。据韩媒SEDaily现场报道，Song透露，三星计划在2028年推出一款专为设备端AI应用设计的LPW DRAM内存产品。

LPW DRAM，即LPDDR Wide-IO内存的简称，是一种专为移动设备设计的内存产品。与LPDDR内存相比，LPWDRAM具有更宽的I/O位宽，它通过增加I/O通道数量并降低每个通道的数据传输速率，来实现高带宽与低功耗的双重优势。

在结构层面，LPW DRAM也进行了大胆的创新。三星采用了结合RDL（重布线层）的垂直引线键合技术，取代了传统的引线键合方式。这一改变不仅使得封装尺寸大大减小，还显著提升了能效表现。

据三星电子介绍，LPW DRAM的带宽将超过200GB/s，与现有的LPDDR5x内存相比，带宽提升了高达166%。同时，其功耗也显著降低至1.9 pJ / bit，比LPDDR5x低了54%。这一突破性的进步，无疑将为设备端AI应用提供更加高效、可靠的内存支持。

随着AI技术在移动设备中的广泛应用，对于高性能、低功耗内存的需求日益增长。LPW DRAM的推出，将有望满足这一市场需求，进一步推动AI技术在移动设备中的普及与发展。