SK 海力士1b nm工艺16Gb LPDDR5X内存，去年十月已量产，速度能效双提升

SK 海力士近日在其业务报告中宣布了一项重要的技术进展。据悉，该公司已经成功开发出基于第5代10纳米级（1b nm）技术的16Gb LPDDR5X内存，这一成就标志着SK海力士在内存技术领域的又一次重大突破。

该16Gb LPDDR5X内存的开发工作早在去年4月就已经完成，并在同年10月正式投入量产。这一内存的运行速率高达10.7Gbps（即10667 MT/s），与前一代的9.6Gbps LPDDR5T相比，速度提升了约10%。不仅如此，在能效方面，这款新产品也实现了15%的显著提升。

SK 海力士此次推出的LPDDR5X内存，不仅速度更快、能效更高，而且其应用前景也极为广阔。该公司计划以SOCAMM和LPCAMM的模组形态，将这款内存推向服务器和PC市场。这一举措旨在满足日益增长的AI计算对高性能DRAM的迫切需求。

随着AI技术的不断发展和普及，高性能内存的需求也在持续增长。SK 海力士此次推出的LPDDR5X内存，无疑将为服务器和PC市场注入一股新的活力，推动相关产业的进一步发展。同时，这也再次证明了SK海力士在内存技术领域的领先地位和创新能力。