美光量产出货！英伟达AI芯片HBM3E及SOCAMM内存解决方案来袭

美光科技近日宣布了一项重大突破，它已成为全球首个且唯一同时推出HBM3E及SOCAMM产品的存储供应商。这一成就标志着美光在高性能存储解决方案领域迈出了重要一步。

据详细披露，美光为英伟达GB300 Grace Blackwell Ultra超级芯片定制的SOCAMM内存，以及专为HGX B300和HGX B200平台设计的HBM3E内存产品，已开始大规模量产并发货。这些产品包括HBM3E 12H 36GB（针对HGX B300）和HBM3E 8H 24GB（针对HGX B200）。

美光强调，SOCAMM是与英伟达联合研发的模块化LPDDR5X内存方案，它刷新了速度、体积、功耗和容量的多项纪录。在相同容量下，SOCAMM提供的带宽是RDIMM的2.5倍，能够显著提升数据存取速度，尤其适用于处理大规模训练数据和复杂模型，同时增强推理工作负载的数据传输效率。

在体积方面，SOCAMM的尺寸仅为14x90毫米，相当于行业标准RDIMM尺寸的三分之一，这为构建更紧凑、高效的服务器设计提供了可能。SOCAMM的功耗仅为标准DDR5 RDIMM的三分之一，极大地优化了AI架构中的能效表现。

SOCAMM的容量表现同样出色，它采用四组16层堆叠LPDDR5X内存，实现了128GB的高容量内存模组，成为业界最高容量的LPDDR5X内存解决方案。同时，美光的SOCAMM还具备出色的扩展能力和维修性，其模块化设计和创新堆叠技术不仅支持ECC纠错功能，还提高了维修的便捷性，并有助于液冷服务器的设计。

在HBM3E产品线上，美光的HBM3E 12H 36GB在同规格下提供了比HBM3E 8H 24GB高出50%的容量。与竞争对手的HBM3E 8H 24GB产品相比，美光的HBM3E 12H 36GB不仅功耗降低了20%，存储容量也提升了50%，展现了美光在高性能存储技术上的领先地位。