AMD Zen6 IOD大变动：抛弃台积电，转向三星4nm工艺？

AMD正紧锣密鼓地筹备其下一代Zen6架构产品，这一系列将覆盖消费级和数据中心领域。关于Zen6中核心计算集群（CCD）的工艺节点，业内有两种不同的声音：一种认为将采用台积电的N3 3nm工艺，另一种则预测会使用更先进的N2 2nm工艺。

回顾Zen5家族，锐龙9000系列的输入输出芯片（IOD）部分采用的是台积电的4nm工艺，而CCD部分则沿用了锐龙7000系列的6nm设计。同时，EPYC 9005系列的IOD在Zen5版本中为4nm，Zen5c版本则升级为3nm，其CCD部分同样为6nm，表明两者在很大程度上共享了相似的设计。

那么，对于即将面世的Zen6架构，其IOD部分将采用何种工艺成为了外界关注的焦点。此前有消息称，Zen6的IOD将升级到台积电的4nm工艺，特别是N4P版本。然而，最新的情报指出，Zen6的IOD制造或将转向三星，尽管同样是4nm级别，但具体为三星的4LPP工艺，也被称为SF4。

尽管三星的工艺在性能和能效方面相较于台积电略显逊色，但对于IOD而言，并不需要过于先进的工艺，因为其功耗相对较低。三星4LPP工艺自2022年量产以来，已经相当成熟，这意味着其生产成本将更为低廉。作为一个低功耗工艺节点，4LPP非常适合用于IOD的生产。

数据显示，三星4LPP的晶体管密度达到了每平方毫米1.37亿个，这一数值与台积电的N5工艺相当，仅比台积电的N4P工艺低约5%，同时远高于Intel 4工艺的11%。由此可见，三星4LPP工艺本身具备良好的素质，能够满足IOD的生产需求。