美光12Hi HBM3E内存将放量，目标HBM市占率达20%

近期，美光科技的高管在出席一次行业分析会议时透露了公司的最新动态。执行副总裁兼首席财务官Mark Murphy在会上宣布，美光的12层堆叠HBM内存产品（型号为12Hi HBM3E）即将进入大规模生产阶段。

据美光方面介绍，这款12Hi HBM3E产品在性能上具备显著优势。与市场上的竞品相比，其容量高出50%，同时功耗降低了20%。这一突破性的进展无疑将增强美光在高端内存市场的竞争力。

Mark Murphy进一步表示，美光在HBM领域的目标是实现与整体DRAM市场相当的市场占有率，即达到20%。即便当前三星电子在HBM业务上遇到了一些挑战，美光依然坚定这一目标。随着HBM产能的提升，美光的整体财务数据也有望得到显著改善。

在NAND闪存方面，Mark Murphy透露了公司的不同策略。他指出，当前NAND闪存行业的整体状况依然疲软。因此，美光决定放缓制程迁移的步伐，如推迟升级至最新的G9 278层节点，以降低供应能力，从而加速库存消耗。尽管面临挑战，但美光对2025年的市场前景持乐观态度，预计整体情况将逐步好转。

在财务数据方面，Mark Murphy预计美光在2024财年第三财季（截至2025年3月末）的毛利率将有所下降。这主要是由于客户端出货规模的提升伴随着产品价格的降低，以及NAND闪存市场的整体行情不佳所致。尽管面临这些挑战，但美光依然致力于通过技术创新和市场策略调整，保持其在半导体行业的领先地位。