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中微公司首推12英寸晶圆边缘刻蚀设备Primo Halona,生产效率大幅提升

中微公司首推12英寸晶圆边缘刻蚀设备Primo Halona,生产效率大幅提升

时间:2025-04-12 来源:铿鸟百科网 收集整理:小编 阅读:
导读:在SEMICON China 2025展会这一科技盛宴中,中微半导体设备(上海)股份有限公司(简称“中微公司”)隆重推出了其自主研发的12英寸晶圆边缘刻蚀设备——Primo Halona,标志着公司在半导体制造设备领域的又一重大创新。这款P

在SEMICON China 2025展会这一科技盛宴中,中微半导体设备(上海)股份有限公司(简称“中微公司”)隆重推出了其自主研发的12英寸晶圆边缘刻蚀设备——Primo Halona,标志着公司在半导体制造设备领域的又一重大创新。

这款Primo Halona设备以其独特的双反应台设计为核心亮点,最多可配置三个双反应台的反应腔,每个反应腔均能同时处理两片晶圆。这一设计不仅大幅降低了生产成本,更满足了晶圆边缘刻蚀的大规模生产需求,显著提升了生产效率与产出密度。

设备的腔体内部采用了抗腐蚀材料,搭配Quadra-arm机械臂,确保了精准灵活的操作同时,也能有效抵抗卤素气体的腐蚀,从而增强了设备的稳定性和耐用性。Primo Halona还配备了独特的自对准安装设计方案,这一方案不仅提升了上下极板的对中精度和平行度,还大幅减少了因校准安装所需的停机维护时间,助力客户实现产能优化和精益生产。

在智能化方面,Primo Halona同样表现出色。设备提供了可选装的集成量测模块,客户可以通过该模块实现本地实时的膜厚量测,并一键完成晶圆传送的补偿校准。这一功能不仅提升了产品的维护性,还极大提高了后期维护的效率。

不仅如此,中微公司在ICP双反应台刻蚀机Primo Twin-Star上也取得了新的技术突破。通过不断提升反应台之间气体控制的精度,该设备的刻蚀精度已经达到了0.2A(亚埃级)。这一精度在氧化硅、氮化硅和多晶硅等薄膜的刻蚀工艺上均得到了验证,相当于硅原子直径的十分之一,是人类头发丝直径的五百万分之一,展现了中微公司在半导体制造设备领域的卓越技术实力。

Primo Halona和Primo Twin-Star的推出,不仅丰富了中微公司的产品线,更彰显了公司在半导体制造设备领域的持续创新能力和领先地位。随着这些先进设备的广泛应用,将有力推动半导体产业的进一步发展,为全球半导体制造业注入新的活力。

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